20일 삼성전자 평택 반도체 공장을 찾은 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령은 방명록 대신 한 ‘얇은 원판’에 서명을 남겼다. 이 원판이 바로 3나노미터(㎚) 반도체 웨이퍼다. 신기술인 ‘게이트 올 어라운드’(GAA) 기반 공정이 세계 최초로 적용된다. 파운드리(반도체 위탁생산) 세계 1위인 대만 TSMC에 대항할 삼성전자의 ‘히든 카드’다.이재용 삼성전자 부회장의 설명을 들으며 3나노 공정 생산라인을 둘러본 바이든 대통령은 "겨우 몇 나노 두께밖에 되지 않는 이 작은 칩이 인류의 기술을 발전시키는 열쇠가 될 것이다"며 "삼성이...
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