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SK하이닉스, 3차원 크로스 포인트로 128Gbit 비휘발성 메모리 개발
SK Hynix는 3차원 크로스 포인트 구조를 채택하여 128Gbit의 큰 기억용량을 실현한 비휘발성 메모리를 개발했고, 그 기술 개요를 국제학회 IEDM(미국 캘리포니아주 샌프란시스코 개최)에서 .. |
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파나소닉, UMC와 40nm ReRAM 양산 프로세스 공동 개발
파나소닉 세미 컨덕터 솔루션즈 주식 회사(PSCS)는 대만 UMC와 ReRAM의 40nm 양산 프로세스의 공동 개발에 합의했다고 발표했다.ReRAM은 비휘발성 메모리의 하나로 간단한 구조, 고속 처.. |
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