로옴, 델타전자와 반도체 GaN 전원 장치 개발

[지디넷코리아]

일본 반도체·전자부품 회사 로옴은 27일 대만 델타전자와 차세대 반도체 질화갈륨(GaN·갈륨나이트라이드) 전원 장치를 함께 개발·양산하기로 했다고 밝혔다.

600V 전압을 견디는 GaN 전원 장치를 공동 개발한다. 로옴은 지난달 150V 내압 GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT·High Electron Mobility Transistor)를 양산하기 시작했다.

로옴은 전원 효율을 높이기 위해 질화갈륨 같은 새로운 재료를 주목했다고 설명했다. 질화갈륨은 차세대 파워 반도체에 쓰이는 화합물이다. 전력 저항성과 고속 변환 성능이 뛰어나다고 평가된다.

이노 가즈히데 로옴 상무는 “친환경 사회를 실현하기 위해 로옴의 주력 상품인 파워 반도체 역할이 크다”며 “로옴은 질화갈륨을 비롯한 첨단 장치를 개발하면서 그 성능을 최고로 끌어올리는 제어 집적회로(IC)도 조합하고 있다”고 말했다.