인피니언, 전력밀도 높인 신규 트랜지스터 모듈 출시

[지디넷코리아]

인피니언 테크놀로지스는 '1200V TRENCHSTOP IGBT7' 칩을 채택한 62mm 하프브리지 및 공통 이미터 모듈 제품군을 출시한다고 16일 밝혔다.

해당 제품군은 새로운 마이크로 패턴 트렌치 기술을 기반으로 하여 IGBT4 칩셋을 채택한 모듈 대비 정적 손실을 크게 낮췄다. 또한 IGBT의 오실레이션 동작과 제어가 향상됐으며, 175°C의 최대 과부하 접합부 온도를 특징으로 한다.

견고한 니켈 코팅 구리 베이스 플레이트와 스크류 메인 단자는 62mm 모듈 하우징으로 높은 기계적 견고성을 보장한다. 메인 단자들이 하우징의 중앙부에 자리 잡고 있어, 인덕턴스가 낮은 DC 링크 접속으로 병렬 회로와 3레벨 구성에 적합하다.

모듈 제품군 내에서 표준 패키지 디자인과 규격이 그대로이므로 앞서 출시된 제품과 기계적 호환이 가능하다. 또한 모든 모듈은 인피니언의 검증된 열 계면(interface) 물질(TIM)이 사전 적용된 버전도 제공한다.

해당 제품군은 태양광 센트럴 인버터, 산업용 드라이브 애플리케이션, 무정전 전원장치(UPS)에 적합하다. 급속 전기차(EV) 충전, 에너지 저장 시스템(ESS), 기타 첨단 산업용 애플리케이션에도 사용할 수 있다.